DDR器件，即雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不能缺少的關(guān)鍵組件。DDR器件以其高速度、大容量和低功耗的特性，在計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、通信設(shè)備和消費(fèi)電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著科技的快速發(fā)展，DDR器件不斷更新?lián)Q代，性能要求也在不斷提高，其電參數(shù)測(cè)試成為了確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能穩(wěn)定的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

電性能參數(shù)簡(jiǎn)介

        電性能參數(shù)作為DDR器件在電路中行為特性的核心描述，反映了器件在不同工作狀態(tài)下的綜合表現(xiàn)。 DDR器件的電性能參數(shù)主要包括各狀態(tài)工作電流、時(shí)鐘頻率、數(shù)據(jù)傳輸速率以及延遲時(shí)間等關(guān)鍵要素。這些參數(shù)對(duì)DDR器件的性能表現(xiàn)具有決定性作用。具體而言，工作電流的大小直接關(guān)系到DDR器件的應(yīng)用環(huán)境及功耗水平；時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)傳輸速率則共同決定了DDR器件的數(shù)據(jù)處理能力；而延遲時(shí)間則是影響系統(tǒng)響應(yīng)速度和整體性能不可忽視的因素。

        值得注意的是，各代DDR器件在電性能參數(shù)和工作條件方面存在顯著差異。為了深入了解這些差異，我們可以參考相關(guān)的器件手冊(cè)。例如，下圖展示了某DDR器件規(guī)格書(shū)的扉頁(yè)。從規(guī)格書(shū)中可以獲取詳細(xì)的電性能參數(shù)和工作條件信息。這些信息對(duì)于正確選擇和應(yīng)用DDR器件至關(guān)重要。

圖1

主要測(cè)試設(shè)備

        V93000-CTH

        設(shè)備特點(diǎn)：

        1. V93000-CTH是一臺(tái)先進(jìn)的超大規(guī)模集成電路自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，專(zhuān)為數(shù)字邏輯芯片、混合信號(hào)芯片、片上系統(tǒng)SoC芯片等產(chǎn)品的測(cè)試而設(shè)計(jì)，測(cè)試范圍廣泛；

        2. 采用先進(jìn)的Smartest軟件平臺(tái)，為用戶(hù)提供強(qiáng)大的編程和測(cè)試功能，使得測(cè)試程序的開(kāi)發(fā)更為快速和高效；

        3. 平臺(tái)在數(shù)字測(cè)試通道數(shù)方面，V93000-CTH具有出色的可擴(kuò)展性，可以從128通道擴(kuò)展至2048通道（以128通道為最小擴(kuò)展單位）；

        4. 系統(tǒng)支持多種測(cè)試速度，其搭配的PS 9G板卡最高可以提供9 Gbps的測(cè)試速率。此外，該設(shè)備還支持多種測(cè)試速度的數(shù)字通道板卡混插，從而滿(mǎn)足不同的測(cè)試需求；

        5. 高效的測(cè)試效率：V93000-CTH具有出色的測(cè)試速度，與傳統(tǒng)的測(cè)試設(shè)備相比，它能夠更快地完成測(cè)試任務(wù)，從而提高測(cè)試效率。

測(cè)試案例

        在進(jìn)行DDR測(cè)試開(kāi)發(fā)之前，器件的各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)是我們必須首要關(guān)注的要點(diǎn)。為確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性，我們必須選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)試平臺(tái)，并設(shè)計(jì)符合要求的測(cè)試夾具和測(cè)試板卡。這些工具的選擇對(duì)測(cè)試結(jié)果的精確性和穩(wěn)定性具有直接影響。此外，DDR的時(shí)序配置亦不可忽視，它涉及到器件初始化、激活、預(yù)充電以及內(nèi)存讀寫(xiě)等操作的時(shí)序控制，對(duì)于保障內(nèi)存的穩(wěn)定性和性能具有決定性作用。

        在DDR的各項(xiàng)電參數(shù)中，關(guān)鍵的DC參數(shù)包含了IDD0、IDD1（Operating one bank Current），IDD2(Precharge Current)，IDD3（Active Current），IDD4(Operating burst write/read current )，IDD5、IDD6（Refresh Current），IDD7(Operating bank interleave read current)和IDD8（Reset Current）等，其中最小的工作電流通常小于十毫安，最大的工作電流則可能達(dá)到幾百毫安級(jí)。而關(guān)鍵的AC參數(shù)有tCK（System Clock），tAC（DQ output access time to/from CK/CK#），tDQSCK（DQS/DQS# rising to/from rising CK/CK#）等，其中系統(tǒng)時(shí)鐘通常為納秒級(jí)參數(shù)，關(guān)鍵參數(shù)如tDQSCK則為皮秒級(jí)延時(shí)參數(shù)。

        下組圖為廣電計(jì)量測(cè)試某型號(hào)DDR器件時(shí)的示意圖，通過(guò)定制合適的測(cè)試板以及測(cè)試夾具，配合適當(dāng)配置的ATE平臺(tái)，對(duì)相應(yīng)的DDR樣品進(jìn)行測(cè)試。

 DDR機(jī)臺(tái)測(cè)試示意圖

       下組圖左側(cè)為廣電計(jì)量對(duì)某DDR器件關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)，測(cè)試采用V93000-CTH完成；下組圖右側(cè)為該公司同型號(hào)的規(guī)格書(shū)當(dāng)中電特性參數(shù)部分列表。

實(shí)機(jī)測(cè)試數(shù)據(jù)

規(guī)格書(shū)中電參數(shù)判限

測(cè)試能力

        廣電計(jì)量引進(jìn)國(guó)內(nèi)外的測(cè)試技術(shù)和設(shè)備，搭建了DDR器件相關(guān)關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)試開(kāi)發(fā)能力。此外，廣電計(jì)量也致力于發(fā)展數(shù)字邏輯芯片、混合信號(hào)芯片以及片上系統(tǒng)SoC芯片等多元化器件的測(cè)試能力，為我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的多樣化發(fā)展提供了強(qiáng)有力的驗(yàn)證保障，為芯片產(chǎn)品的順利上市保駕護(hù)航。

廣電計(jì)量半導(dǎo)體服務(wù)優(yōu)勢(shì)